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        薄膜電阻基體的處理

        文章出處:東莞市瓷谷電子科技有限公司 發表時間:2019.09.19

            用作薄膜電阻器的基體首先須經清潔處理,然后再根據導電膜層的種類、或膜層制作工藝的不同,對基體進行必要的表面處理,如拋光處理和粗化處理等。

        一、基體的清潔處理

            電阻膜層與電阻基體間是利用由物理吸附形成的結合力而附著的,從有關兩相間物理吸附的要素可見:兩相間沒有破壞這種附著的第三相是必要條件之一。為此,在成膜前必須經過清洗,以除去基體表面的塵埃、雜質和油污等。

             基體表面清潔處理的方法有多種,常用的是置電阻基體于六角形滾筒中,在不低了60C的熱水中滾洗約半小時(如欲加速該過程,可把熱水改為在4.7節中介紹過的脫污視后,通以流動的自來水沖洗并用蒸餾水漂洗兩次,再在蒸餾水中沸煮1015min后用蒸餾水漂洗并經離心干燥機干燥,以免在基體表面留有水跡。

        二、基體的拋光

              未經拋光的電 阻基體的表面光潔度差,四凸程度在201om左右。對于膜厚為微米級的導電薄膜表面凹凸狀態將導致導電膜厚不均勻,  致影響膜層的連續性而導致膜層性能變杯。所以,要采用化學的或物理的方法(甚至兩者的結合)對用作薄膜電用的基體進行表面拋光。

              (1)機械拋光處理利用水 與基體拋光劑與基體基體與基體同的磨擦作用,使基體的表面狀態變得平整光滑。其改善程度取決于磨料的選擇;基體水、拋光劑的配比;裝載量和拋光時間。機械拋光通常是利用球磨簡在轉動式球磨機上完成。拋光時間過長時,會引起基體尺寸的變小。

              (2)化學拋光處理通 常是利用攪動在弱酸中浸泡著的基體來完成。酸洗液是由氫氟酸與水配制而成,溶液的濃度根據基體適用的阻值范圍而定,濃度過高會造成新的凹凸狀態變化。所以,必須嚴格控制工藝因素以確保在該基體上制成的膜層的連續性和膜層與基體表面有良好的接觸,以保證導電膜層的電性能。經化學拋光處理的基體也須經水沖洗并離心干燥后備用。

              (3)高溫拋光處理選擇 較為合適的加熱溫度(800 ~ 1200C)對基體進行高溫處理,使基體表面的玻璃成熔融態,以在冷卻過程中形成高光潔度的玻璃相表面層,從而提高基體表面的光潔度和與導電膜有良好的附著。這種方法對高阻值高穩定的薄膜電阻基體尤為必要。該工藝除了要選擇合適的處理溫度外,還應+分注重對保溫時間降溫速度等工藝因素的嚴格監控。

        三、基體表面的粗化

              為了使電阻基體與較厚的導電膜層有良好的附著,除了通過表面清潔處理使表面潔凈外要盡量增加膜層與基體表面間的有效接觸面積,所以常要通過粗化工藝使基體表面形成納勻的粗糙狀態,其要求是通過租化而成的基體表面四陷部位的橫向尺寸要大于其在深度方向的尺寸。

        此文關鍵字:薄膜電阻基體的處理,薄膜電阻基體,電容
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